Солнечные фотоэлектрические технологии Часть 1

Солнечные фотоэлектрические технологии Часть 1
(краткий обзор)

 

Эта статья будет посвящена обсуждению разновидностей промышленных солнечных панелей (фотоэлектрических модулей), крепежных систем (опорных систем) для солнечных панелей, инверторов электрического тока и методов определения работоспособности солнечной электростанции.
Обзор предоставляет на данный момент существующий коммерческий рынок технологий используемых в промышленном строительстве солнечных электростанций мега ватной и более мощности.
Цель обзора состоит в том, чтобы служить основой в понимании обсуждаемых вопросов для разработчиков будущей солнечной электростанции и инвесторов, прежде чем они согласятся на использование определенной технологии для строительства солнечной электростанции.
    Солнечные элементы и промышленные технологии их производства характеризуются большим разнообразием и подразделяются на:  кристаллические и тонкопленочные технологии.

    Солнечные элементы на основе кристаллического кремния обеспечивает высокую эффективность солнечных панелей (модулей). Они подразделяются на моно - кристаллические кремниевые (на англ. mono-crystalline silicon  или mono-c-Si) или мульти - кристаллические  кремниевые солнечные элементы (на англ. multi-crystalline silicon или multi-c-Si), иногда также используется аббревиатура поли – кристаллические солнечные элементы (на англ. poly-crystalline silicon или poly-c-Si).

Моно – кристаллические солнечные элементы обычно являются более эффективными по КПД  преобразования солнечного излучения в электроэнергию, но они также более дорогостоящие как в промышленном производстве, так и в готовом продукте, чем мульти - кристаллические солнечные элементы.
Тонкопленочные солнечные элементы (на англ. Thin-film cells) обеспечивают более дешевую альтернативу выбора солнечных модулей (панелей), но они также менее эффективны по КПД  преобразования солнечного излучения в электроэнергию. Есть три главных типа тонкопленочных промышленных солнечных модулей на основе: теллурида кадмия (на англ. сокращение CdTe), де сульфидов и де селенидов сложной смеси индия галлия и  меди  (на англ. сокращение CIGS/CIS), и пленок аморфного кремния (на англ. сокращение a-Si).

 



Добавлено: 04.02.2017 14:28 | Автор: Yuriy_CTO

Всего комментариев: 0
avatar